FDB16AN08A0

Name: ON Semiconductor FDB16AN08A0
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (17 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Date Sheet

Lagernummer 28000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Вес：1.31247g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：9A Ta 58A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：6V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：135W Tc
Время отключения：28 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：2
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：75V
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：58A
Код JESD-30：R-PSSO-G2
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：135W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：8 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：16m Ω @ 58A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1857pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：42nC @ 10V
Время подъема：82ns
Угол настройки (макс.)：±20V
Время падения (тип)：30 ns
Непрерывный ток стока (ID)：58A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальный сливовой ток (ID)：9A
Напряжение пробоя стока к истоку：75V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 28000

Итого $0.00000