IRL6372PBF

Name: Infineon Technologies IRL6372PBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (11 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Date Sheet

Lagernummer 782

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：34 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：17.9MOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：IRL6372PBF
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：5.9 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：17.9m Ω @ 8.1A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.1V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1020pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 4.5V
Время подъема：13ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：15 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8.1A
Пороговое напряжение：1.1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：65A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Время восстановления：20 ns
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.1 V
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 782

Итого $0.00000