(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы MCH6604-TL-E
Изображение служит лишь для справки
MCH6604-TL-E
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-SMD, Flat Leads
- MOSFET 2N-CH 50V 0.25A MCPH6
Date Sheet
Lagernummer 360000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：LIFETIME (Last Updated: 11 hours ago)
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-SMD, Flat Leads
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Время отключения：190 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2006
- Код JESD-609：e6
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- Максимальная потеря мощности：800mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：800mW
- Время задержки включения：18 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.8 Ω @ 50mA, 4V
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：6.6pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.57nC @ 10V
- Время подъема：42ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：50V
- Время падения (тип)：105 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：250mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：10V
- Напряжение пробоя стока к истоку：50V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 360000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
