BSL214NH6327XTSA1

Name: Infineon Technologies BSL214NH6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (12 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP
Date Sheet

Lagernummer 400

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Количество контактов：6
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
Максимальная потеря мощности：500mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Мощность - Макс：500mW
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：140m Ω @ 1.5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 3.7μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：143pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：0.8nC @ 5V
Время подъема：7.6ns
Непрерывный ток стока (ID)：1.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.14Ohm
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate, 2.5V Drive
Обратная ёмкость-Макс (Crss)：9 pF
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 400

Итого $0.00000