(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB55XP,115
Изображение служит лишь для справки
PMDPB55XP,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 6HUSON
Date Sheet
Lagernummer 112
- 1+： $0.37741
- 10+： $0.35605
- 100+： $0.33589
- 500+： $0.31688
- 1000+： $0.29894
Zwischensummenbetrag $0.37741
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Время отключения：135 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：490mW
- Число контактов：6
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Время задержки включения：4 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：70m Ω @ 3.4A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：785pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：25nC @ 5V
- Время подъема：14ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：68 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.4A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：-650mV
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 112
- 1+： $0.37741
- 10+： $0.35605
- 100+： $0.33589
- 500+： $0.31688
- 1000+： $0.29894
Итого $0.37741
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
