DMN2040LTS-13

Name: Diodes Incorporated DMN2040LTS-13
Brand: Diodes Incorporated
Rating: 4.6 (11 reviews)

Diodes Incorporated
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Date Sheet

Lagernummer 2500

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：24 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Количество контактов：8
Вес：157.991892mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.7A Ta
Количество элементов：2
Время отключения：19.8 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101
Опубликовано：2009
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：LOW THERSHOLD
Максимальная потеря мощности：890mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
Число контактов：8
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：890mW
Время задержки включения：5.2 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual) Common Drain
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：26m Ω @ 6A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：570pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：5.2nC @ 4.5V
Время подъема：13.5ns
Время падения (тип)：6.1 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6.7A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Standard
Высота：1.025mm
Длина：4.5mm
Ширина：3.1mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 2500

Итого $0.00000