(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы PMDPB70XP,115
Изображение служит лишь для справки
PMDPB70XP,115
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 6-UDFN Exposed Pad
- PMDPB70XP - 30 V, dual P-channel Trench MOSFET
Date Sheet
Lagernummer 1836
- 1+： $0.28337
- 10+： $0.26733
- 100+： $0.25220
- 500+： $0.23792
- 1000+： $0.22445
Zwischensummenbetrag $0.28337
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：8 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：6-UDFN Exposed Pad
- Количество контактов：6
- Количество элементов：2
- Время отключения：112 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2012
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：490mW
- Число контактов：6
- Конфигурация элемента：Dual
- Распад мощности：1.17W
- Время задержки включения：3 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：87m Ω @ 2.9A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：680pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：7.8nC @ 5V
- Время подъема：15ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
- Время падения (тип)：48 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2.9A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
- Максимальное напряжение питания с двумя источниками：-30V
- Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 1836
- 1+： $0.28337
- 10+： $0.26733
- 100+： $0.25220
- 500+： $0.23792
- 1000+： $0.22445
Итого $0.28337
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
