(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы SI1033X-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SI1033X-T1-GE3
-
Vishay Siliconix
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- SOT-563, SOT-666
- MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
Date Sheet
Lagernummer 31
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：21 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：60 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：TrenchFET®
- Опубликовано：2016
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：6
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：8Ohm
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Максимальная потеря мощности：250mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Основной номер части：SI1033
- Число контактов：6
- Код JESD-30：R-PDSO-G6
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：8 Ω @ 150mA, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id：1.2V @ 250μA
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：1.5nC @ 4.5V
- Время подъема：30ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：20V
- Время падения (тип)：30 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：145mA
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：5V
- Максимальный сливовой ток (ID)：0.145A
- Напряжение пробоя стока к истоку：-20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 31
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
