Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы STS8DNH3LL

Изображение служит лишь для справки






STS8DNH3LL
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
Date Sheet
Lagernummer 62
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов:8
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Количество элементов:2
- Время отключения:23 ns
- Рабочая температура:150°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:STripFET™ III
- Код JESD-609:e4
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:8
- Код ECCN:EAR99
- Сопротивление:22mOhm
- Конечная обработка контакта:Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
- Ток постоянного напряжения - номинальный:30V
- Максимальная потеря мощности:2W
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Моментальный ток:8A
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):30
- Основной номер части:STS8DN
- Число контактов:8
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:2W
- Тип ТРВ:2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:22m Ω @ 4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:1V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:857pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:10nC @ 4.5V
- Время подъема:14.5ns
- Время падения (тип):8 ns
- Непрерывный ток стока (ID):8A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):16V
- Максимальный сливовой ток (ID):8A
- Напряжение пробоя стока к истоку:30V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП:Logic Level Gate
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 62
Итого $0.00000