STS8DNH3LL

Name: STMicroelectronics STS8DNH3LL
Brand: STMicroelectronics
Rating: 5 (14 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET Dual N-Ch 30 Volt 8A
Date Sheet

Lagernummer 62

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：23 ns
Рабочая температура：150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™ III
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：22mOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Ток постоянного напряжения - номинальный：30V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：8A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS8DN
Число контактов：8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22m Ω @ 4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：857pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：10nC @ 4.5V
Время подъема：14.5ns
Время падения (тип)：8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：8A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：8A
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 62

Итого $0.00000