STS3DPF60L

Name: STMicroelectronics STS3DPF60L
Brand: STMicroelectronics
Rating: 4.8 (16 reviews)

STMicroelectronics
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 360000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：39 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：STripFET™
Код JESD-609：e4
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Дополнительная Характеристика：LOW THRESHOLD
Ток постоянного напряжения - номинальный：-60V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-3A
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
Основной номер части：STS3D
Число контактов：8
Квалификационный Статус：Not Qualified
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：120m Ω @ 1.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：630pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15.7nC @ 4.5V
Время подъема：54ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
Время падения (тип)：14.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
Максимальный сливовой ток (ID)：3A
Сопротивление открытого канала-макс：0.16Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-60V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 360000

Итого $0.00000