(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы STS5DPF20L
Изображение служит лишь для справки
STS5DPF20L
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 193
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：125 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：STripFET™ II
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-20V
- Максимальная потеря мощности：1.6W
- Форма вывода：GULL WING
- Моментальный ток：-5A
- Основной номер части：STS5D
- Число контактов：8
- Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：1.6W
- Время задержки включения：25 ns
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55m Ω @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1350pF @ 16V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：16nC @ 5V
- Время подъема：35ns
- Время падения (тип)：35 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：16V
- Максимальный сливовой ток (ID)：5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.075Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：20V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 193
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
