(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы STS2DPF80
Изображение служит лишь для справки
STS2DPF80
-
STMicroelectronics
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET DUAL P Ch 80V 0.21 OHM 2.3A
Date Sheet
Lagernummer 2260
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Количество элементов：2
- Время отключения：32 ns
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：STripFET™
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：250mOhm
- Ток постоянного напряжения - номинальный：-80V
- Максимальная потеря мощности：2.5W
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Моментальный ток：-2.3A
- Основной номер части：STS2D
- Число контактов：8
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2.5W
- Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：250m Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：739pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Время подъема：18ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：80V
- Время падения (тип)：13 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：2A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：2A
- Напряжение пробоя стока к истоку：-80V
- Максимальный импульсный ток вывода：8A
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 2260
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
