NTR4170NT1G

Name: ON Semiconductor NTR4170NT1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (15 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
Date Sheet

Lagernummer 61800

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：14 Weeks
Покрытие контактов：Tin
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：2.5V 10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：480mW Ta
Время отключения：15.1 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2006
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：55MOhm
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：480mW
Время задержки включения：6.4 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55m Ω @ 3.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1.4V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：432pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：4.76nC @ 4.5V
Время подъема：9.9ns
Угол настройки (макс.)：±12V
Время падения (тип)：3.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)：2.4A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：12V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Номинальное Vgs：1 V
Высота：1.11mm
Длина：3.04mm
Ширина：1.4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 61800

Итого $0.00000