(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SSM3J356R,LF
Изображение служит лишь для справки
SSM3J356R,LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- SOT-23-3 Flat Leads
- MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Date Sheet
Lagernummer 654000
- 1+： $0.32509
- 10+： $0.30669
- 100+： $0.28933
- 500+： $0.27295
- 1000+： $0.25750
Zwischensummenbetrag $0.32509
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-23-3 Flat Leads
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4V 10V
- Количество элементов：1
- Максимальная мощность рассеяния：1W Ta
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：U-MOSVI
- Опубликовано：2015
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Положение терминала：DUAL
- Код JESD-30：R-PDSO-F3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Тип ТРВ：P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：300m Ω @ 1A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：330pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：8.3nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Угол настройки (макс.)：+10V, -20V
- Непрерывный ток стока (ID)：2A
- Максимальный сливовой ток (ID)：2A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.4Ohm
- Минимальная напряжённость разрушения：60V
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 654000
- 1+： $0.32509
- 10+： $0.30669
- 100+： $0.28933
- 500+： $0.27295
- 1000+： $0.25750
Итого $0.32509
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
