Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные PMV30UN2R

Изображение служит лишь для справки






PMV30UN2R
-
Nexperia USA Inc.
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- In a Pack of 50, N-Channel MOSFET, 5.4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Nexperia PMV30UN2R
Date Sheet
Lagernummer 90000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:4 Weeks
- Покрытие контактов:Tin
- Монтаж:Surface Mount
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:4.2A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):1.2V 4.5V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:490mW Ta 5W Tc
- Время отключения:35 ns
- Рабочая температура:-55°C~150°C TJ
- Пакетирование:Cut Tape (CT)
- Опубликовано:1997
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Число контактов:3
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Каналов количество:1
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности:1W
- Время задержки включения:7 ns
- Тип ТРВ:N-Channel
- Применение транзистора:SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:32m Ω @ 4.2A, 4.5V
- Втс(th) (Макс) @ Id:900mV @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:655pF @ 10V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:11nC @ 4.5V
- Время подъема:26ns
- Угол настройки (макс.):±12V
- Время падения (тип):10 ns
- Непрерывный ток стока (ID):4.2A
- Пороговое напряжение:650mV
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs):12V
- Напряжение пробоя стока к истоку:20V
- Максимальная температура перехода (Тj):150°C
- Диапазон температур окружающей среды (высокий):150°C
- Высота:1.1mm
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
- Без свинца:Lead Free
Со склада 90000
Итого $0.00000