SI1012CR-T1-GE3

Name: Vishay Siliconix SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
Rating: 4.8 (18 reviews)

Vishay Siliconix
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SC-75, SOT-416
VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.33 ohm, SC-75A, Surface Mount
Date Sheet

Lagernummer 55495

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：14 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
Количество контактов：3
Вес：2.012816mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：1.5V 4.5V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：240mW Ta
Время отключения：26 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：TrenchFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：396mOhm
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Число контактов：3
Каналов количество：1
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：240mW
Время задержки включения：11 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：396m Ω @ 600mA, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：43pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：2nC @ 8V
Время подъема：16ns
Угол настройки (макс.)：±8V
Время падения (тип)：11 ns
Непрерывный ток стока (ID)：630mA
Пороговое напряжение：400mV
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：8V
Напряжение пробоя стока к истоку：20V
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Высота：800μm
Длина：1.68mm
Ширина：860μm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 55495

Итого $0.00000