(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT13F120S
Изображение служит лишь для справки
APT13F120S
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-268View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：D3PAK-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：D3Pak
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1.2 kV
- Id - Непрерывный ток разряда：14 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：910 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Зарядная характеристика ворот：145 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：625 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：15 S
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：85 ns
- Время типичного задержки включения：26 ns
- Вес единицы：0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：14
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT13F120
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：14A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：625W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：625 W
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：625
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.2Ohm @ 7A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：4765 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：145 nC @ 10 V
- Время подъема：15 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1200 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Непрерывный ток стока (ID)：14 A
- Входной ёмкости：4.765 nF
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：1.2 Ω
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
