(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT48M80B2
Изображение служит лишь для справки
APT48M80B2
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 800V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 26
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Монтаж：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Id - Непрерывный ток разряда：49 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：170 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：305 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1.135 kW
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：43 S
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：230 ns
- Время типичного задержки включения：55 ns
- Вес единицы：0.211644 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT48M80
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：49A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：1135W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- Номинальное напряжение (постоянное)：800 V
- Время отключения：230 ns
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：1.135 kW
- Моментальный ток：48 A
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Время задержки включения：55 ns
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：190mOhm @ 24A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9330 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：305 nC @ 10 V
- Время подъема：75 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Тип транзистора：1 N-Channel
- Непрерывный ток стока (ID)：49 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Входной ёмкости：9.33 nF
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：190 mΩ
- Корпусировка на излучение：No
- Без свинца：Lead Free
Со склада 26
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
