(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT60N60SCSG
Изображение служит лишь для справки
APT60N60SCSG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- D3PAK-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V, D-3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：D3PAK-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Монтаж：Surface Mount
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：D3Pak
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Id - Непрерывный ток разряда：60 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：45 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：3 V
- Зарядная характеристика ворот：150 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：431 W
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：-
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：100 ns
- Время типичного задержки включения：30 ns
- Вес единицы：0.218699 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：60
- Пакет：Bulk
- Основной номер продукта：APT60N60
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：60A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：431W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Количество элементов：1
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Температура работы-Макс：150 °C
- Артикул Производителя：APT60N60SCSG
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROCHIP TECHNOLOGY INC
- Ранг риска：2.06
- Максимальный ток утечки (ID)：60 A
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Максимальная потеря мощности：431 W
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：431
- Сокетная связка：DRAIN
- Тип ТРВ：N-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：45mOhm @ 44A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3.9V @ 3mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：7200 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：190 nC @ 10 V
- Время подъема：20 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Непрерывный ток стока (ID)：60 A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30 V
- Сопротивление открытого канала-макс：0.045 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：230 A
- Входной ёмкости：7.2 nF
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Канальный тип：N
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：1950 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：-
- Rds на макс.：45 mΩ
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
