Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT53N60BC6
Изображение служит лишь для справки






APT53N60BC6
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, MOSFET, 600V, 53A, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:TO-247-3
- Вид крепления:Through Hole
- Поставщик упаковки устройства:TO-247 [B]
- РХОС:Details
- Монтажные варианты:Through Hole
- Полярность транзистора:N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Id - Непрерывный ток разряда:53 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:70 mOhms
- Усв:- 20 V, + 20 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:3 V
- Зарядная характеристика ворот:154 nC
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Распад мощности:417 W
- Режим канала:Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс:-
- Пакетная партия производителя:1
- Время задержки отключения типичного:151 ns
- Время типичного задержки включения:14 ns
- Вес единицы:0.211644 oz
- Прямоходящий ток вывода Id:53
- Пакет:Tube
- Основной номер продукта:APT53N60
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:53A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Mfr:Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния:417W (Tc)
- Состояние продукта:Active
- Пакетирование:Tube
- Рабочая температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия:CoolMOS™
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:417
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:70mOhm @ 25.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:3.5V @ 1.72mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:4020 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:154 nC @ 10 V
- Время подъема:36 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Канальный тип:N
- Характеристика ТРП:-
Со склада 9000
Итого $0.00000