(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT37M100B2
Изображение служит лишь для справки
APT37M100B2
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- T-MAX-3
- MOSFET FG, MOSFET, 1000V, TO-247 T-MAXView in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 23
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：T-MAX-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：T-MAX™ [B2]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：1 kV
- Id - Непрерывный ток разряда：37 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：330 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：4 V
- Зарядная характеристика ворот：305 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：1.135 kW
- Режим канала：Enhancement
- Минимальная прямая транконductанс：39 S
- Пакетная партия производителя：1
- Время задержки отключения типичного：150 ns
- Время типичного задержки включения：44 ns
- Вес единицы：0.208116 oz
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT37M100
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：37A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：1135W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：330mOhm @ 18A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 2.5mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：9835 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：305 nC @ 10 V
- Время подъема：40 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：1000 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Характеристика ТРП：-
Со склада 23
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
