(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные APT11F80B
Изображение служит лишь для справки
APT11F80B
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-247-3
- MOSFET FG, FREDFET, 800V, TO-247View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 9000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-247-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поставщик упаковки устройства：TO-247 [B]
- РХОС：Details
- Монтажные варианты：Through Hole
- Полярность транзистора：N-Channel
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：800 V
- Id - Непрерывный ток разряда：12 A
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：900 mOhms
- Усв：- 30 V, + 30 V
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.5 V
- Зарядная характеристика ворот：80 nC
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Распад мощности：337 W
- Режим канала：Enhancement
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.211644 oz
- Прямоходящий ток вывода Id：12
- Пакет：Tube
- Основной номер продукта：APT11F80
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A (Tc)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Mfr：Microchip Technology
- Максимальная мощность рассеяния：337W (Tc)
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 8™
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：337
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：900mOhm @ 6A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2471 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：80 nC @ 10 V
- Напряжение стока-исток (Vdss)：800 V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Канальный тип：N
- Характеристика ТРП：-
Со склада 9000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
