Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APTGT50SK170T1G

Lagernummer 26

  • 1+: $55.90443
  • 10+: $52.74003
  • 100+: $49.75474
  • 500+: $46.93844
  • 1000+: $44.28154

Zwischensummenbetrag $55.90443

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Состояние жизненного цикла:Production (Last Updated: 2 months ago)
  • Корпус / Кейс:SP-1
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Монтаж:Chassis Mount, Screw
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Количество контактов:12
  • Поставщик упаковки устройства:SP1
  • Количество терминалов:12
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1.7 kV
  • Распад мощности:312 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 150 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Chassis Mount
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:2.821917 oz
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):75 A
  • Основной номер продукта:APTGT50
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Диэлектрический пробой напряжение:1.7 kV
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-XUFM-T12
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Время включения (тон):450 ns
  • Время отключения (toff):1100 ns
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:150 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:APTGT50SK170T1G
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:1
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:2.15
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e1
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
  • Максимальная рабочая температура:150 °C
  • Минимальная температура работы:-40 °C
  • Максимальная потеря мощности:312 W
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:THROUGH-HOLE
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:12
  • Код JESD-30:R-XUFM-T12
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:Single
  • Конфигурация элемента:Single
  • Распад мощности:312
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Мощность - Макс:312 W
  • Применение транзистора:MOTOR CONTROL
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Ввод:Standard
  • Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO):1.7 kV
  • Максимальный ток сбора:75 A
  • Диапазон рабочей температуры:- 40 C to + 150 C
  • Ток - отсечка коллектора (макс):250 µA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):1700 V
  • Входной ёмкости:4.4 nF
  • Максимальная потеря мощности (абс.):312 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:2.4V @ 15V, 50A
  • Максимальный ток коллектора (IC):75 A
  • Прямоходящий ток коллектора:75
  • Тип ИGBT:Trench Field Stop
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:1700 V
  • Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
  • Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
  • Входная ёмкость (Cies) @ Vce:4.4 nF @ 25 V
  • Максимальное напряжение на выходе:2.4 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules
  • Высота:11.5 mm
  • Длина:51.6 mm
  • Ширина:40.8 mm
  • Корпусировка на излучение:No

Со склада 26

  • 1+: $55.90443
  • 10+: $52.74003
  • 100+: $49.75474
  • 500+: $46.93844
  • 1000+: $44.28154

Итого $55.90443