(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGT30H170T3G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP3-32
- IGBT Modules DOR CC3010View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 2194
- 1+： $97.63517
- 10+： $92.10865
- 100+： $86.89495
- 500+： $81.97637
- 1000+： $77.33620
Zwischensummenbetrag $97.63517
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：SP3-32
- Вид крепления：Chassis Mount
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：32
- Поставщик упаковки устройства：SP3
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.7 kV
- Распад мощности：210 W
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：45 A
- Основной номер продукта：APTGT30
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Диэлектрический пробой напряжение：1.7 kV
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-40°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная потеря мощности：210 W
- Конфигурация：Full Bridge
- Мощность - Макс：210 W
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：1.7 kV
- Максимальный ток сбора：45 A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1700 V
- Входной ёмкости：2.5 nF
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.4V @ 15V, 30A
- Прямоходящий ток коллектора：45
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：2.5 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 2194
- 1+： $97.63517
- 10+： $92.10865
- 100+： $86.89495
- 500+： $81.97637
- 1000+： $77.33620
Итого $97.63517
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
