(0)
Изображение служит лишь для справки
APT75GP120JDQ3
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SOT-227-4
- IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 1200V, 75A, SOT-227View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 525
- 1+： $34.27857
- 10+： $32.33828
- 100+： $30.50781
- 500+： $28.78095
- 1000+： $27.15184
Zwischensummenbetrag $34.27857
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227-4
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
- Распад мощности：543 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Торговое наименование：POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP
- Вес единицы：1.058219 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：128 A
- Основной номер продукта：APT75GP120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：POWER MOS 7®
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：543
- Мощность - Макс：543 W
- Ввод：Standard
- Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 150 C
- Ток - отсечка коллектора (макс)：1.25 mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.9V @ 15V, 75A
- Прямоходящий ток коллектора：128
- Тип ИGBT：PT
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：7.04 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Высота：9.6 mm
- Длина：38.2 mm
- Ширина：25.4 mm
Со склада 525
- 1+： $34.27857
- 10+： $32.33828
- 100+： $30.50781
- 500+： $28.78095
- 1000+： $27.15184
Итого $34.27857
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
