Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APTGT50A120T1G

Lagernummer 27

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SP1-12
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:1200 V
  • Распад мощности:277 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 100 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Chassis Mount
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:2.821917 oz
  • Пакетирование:Tube
  • Конфигурация:Half Bridge
  • Продукт:IGBT Silicon Modules

Со склада 27

Итого $0.00000