(0)
Изображение служит лишь для справки
APT200GN60JDQ4
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SOT-227-4
- IGBT Modules FG, IGBT-COMBI, 600V, 200A, SOT-227View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 46
- 1+： $31.72617
- 10+： $29.93035
- 100+： $28.23618
- 500+： $26.63791
- 1000+： $25.13010
Zwischensummenbetrag $31.72617
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-227-4
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：ISOTOP®
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Распад мощности：682 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 175 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Торговое наименование：ISOTOP
- Вес единицы：1.058219 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：283 A
- Основной номер продукта：APT200
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Описание пакета：ISOTOP-4 PIN
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：130 ns
- Код упаковки производителя：ISOTOP
- Время отключения (toff)：660 ns
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT200GN60JDQ4
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：1.52
- Код упаковки компонента：ISOTOP
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-PUFM-X4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：682
- Сокетная связка：ISOLATED
- Мощность - Макс：682 W
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Ввод：Standard
- Диапазон рабочей температуры：- 55 C to + 175 C
- Ток - отсечка коллектора (макс)：50 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：682 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.85V @ 15V, 200A
- Максимальный ток коллектора (IC)：283 A
- Прямоходящий ток коллектора：283
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：14.1 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Высота：9.6 mm
- Длина：38.2 mm
- Ширина：25.4 mm
Со склада 46
- 1+： $31.72617
- 10+： $29.93035
- 100+： $28.23618
- 500+： $26.63791
- 1000+： $25.13010
Итого $31.72617
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
