Каталог

Указатель продукции

0

Изображение служит лишь для справки

APTGT50X60T3G

Lagernummer 26

  • 1+: $77.01203
  • 10+: $72.65286
  • 100+: $68.54043
  • 500+: $64.66078
  • 1000+: $61.00074

Zwischensummenbetrag $77.01203

Спецификация Часто задаваемые вопросы
  • Корпус / Кейс:SP-3
  • Вид крепления:Chassis Mount
  • Поверхностный монтаж:NO
  • Поставщик упаковки устройства:SP3
  • Количество терминалов:25
  • Материал элемента транзистора:SILICON
  • РХОС:Details
  • Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:600 V
  • Распад мощности:176 W
  • Минимальная температура работы:- 40 C
  • Максимальная рабочая температура:+ 175 C
  • Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates:20 V
  • Монтажные варианты:Chassis Mount
  • Пакетная партия производителя:1
  • Вес единицы:7.863095 oz
  • Пакет:Bulk
  • Максимальный коллекторный ток (Ic):80 A
  • Основной номер продукта:APTGT50
  • Mfr:Microchip Technology
  • Состояние продукта:Active
  • Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
  • Форма упаковки:FLANGE MOUNT
  • Уровни чувствительности к влажности:1
  • Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
  • Время включения (тон):170 ns
  • Время отключения (toff):310 ns
  • Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
  • Температура работы-Макс:175 °C
  • Рохс Код:Yes
  • Артикул Производителя:APTGT50X60T3G
  • Форма упаковки:RECTANGULAR
  • Количество элементов:6
  • Код цикла жизни компонента:Active
  • Производитель IHS:MICROSEMI CORP
  • Ранг риска:5.71
  • Пакетирование:Tube
  • Рабочая температура:-40°C ~ 175°C (TJ)
  • Серия:-
  • Код JESD-609:e1
  • Безоловая кодировка:Yes
  • Код ECCN:EAR99
  • Конечная обработка контакта:TIN SILVER COPPER
  • Положение терминала:UPPER
  • Форма вывода:UNSPECIFIED
  • Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
  • Код соответствия REACH:compliant
  • Число контактов:25
  • Код JESD-30:R-XUFM-X25
  • Квалификационный Статус:Not Qualified
  • Конфигурация:3-Phase Inverter
  • Распад мощности:176
  • Сокетная связка:ISOLATED
  • Мощность - Макс:176 W
  • Применение транзистора:MOTOR CONTROL
  • Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
  • Ввод:Standard
  • Диапазон рабочей температуры:- 40 C to + 175 C
  • Ток - отсечка коллектора (макс):250 µA
  • Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):600 V
  • Максимальная потеря мощности (абс.):176 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:1.9V @ 15V, 50A
  • Максимальный ток коллектора (IC):80 A
  • Прямоходящий ток коллектора:80
  • Тип ИGBT:Trench Field Stop
  • Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:600 V
  • Термистор с изменяемым сопротивлением:Yes
  • Напряжение затвор-эмиттер (макс.):20 V
  • Входная ёмкость (Cies) @ Vce:3.15 nF @ 25 V
  • Максимальное напряжение на выходе:1.9 V
  • Продукт:IGBT Silicon Modules
  • Высота:11.5 mm
  • Длина:73.4 mm
  • Ширина:40.8 mm

Со склада 26

  • 1+: $77.01203
  • 10+: $72.65286
  • 100+: $68.54043
  • 500+: $64.66078
  • 1000+: $61.00074

Итого $77.01203