(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGL475U120DAG
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP6
- IGBT Modules CC6171View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 541
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SP6
- Вид крепления：Chassis Mount
- Поставщик упаковки устройства：SP6
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1.2 kV
- Распад мощности：2.307 kW
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：3.880136 oz
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：610 A
- Основной номер продукта：APTGL475
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Температура работы-Макс：175 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APTGL475U120DAG
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：5.69
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Код соответствия REACH：compliant
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：2.307
- Мощность - Макс：2307 W
- Ввод：Standard
- Ток - отсечка коллектора (макс)：4 mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2307 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：2.2V @ 15V, 400A
- Максимальный ток коллектора (IC)：610 A
- Прямоходящий ток коллектора：610
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Термистор с изменяемым сопротивлением：No
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：24.6 nF @ 25 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.2 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
Со склада 541
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
