(0)
Изображение служит лишь для справки
APT85GR120L
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- TO-264-3
- IGBT Modules FG, IGBT, 1200V, 85A, TO-264View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 36
- 1+： $11.91945
- 10+： $11.24477
- 100+： $10.60827
- 500+： $10.00780
- 1000+： $9.44132
Zwischensummenbetrag $11.91945
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：TO-264-3
- Вид крепления：Through Hole
- Поверхностный монтаж：NO
- Поставщик упаковки устройства：TO-264
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：1200 V
- Распад мощности：962 W
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：30 V
- Монтажные варианты：Through Hole
- Пакетная партия производителя：1
- Вес единицы：0.352740 oz
- Пакет：Tube
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：170 A
- Основной номер продукта：APT85GR120
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Условия испытания：600V, 85A, 4.3Ohm, 15V
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Время включения (тон)：113 ns
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Время отключения (toff)：445 ns
- Температура работы-Макс：150 °C
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：APT85GR120L
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Ранг риска：2.15
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-55°C ~ 150°C (TJ)
- Серия：-
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：962
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Входной тип：Standard
- Мощность - Макс：962 W
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-264AA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：1200 V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：962 W
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：3.2V @ 15V, 85A
- Максимальный ток коллектора (IC)：170 A
- Прямоходящий ток коллектора：170
- Тип ИGBT：NPT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Зарядная мощность：660 nC
- Ток-эmitter импульсированный (Icm)：340 A
- Тд (вкл/выкл) @ 25°C：43ns/300ns
- Переключаемый энергопотребление：6mJ (on), 3.8mJ (off)
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：30 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
Со склада 36
- 1+： $11.91945
- 10+： $11.24477
- 100+： $10.60827
- 500+： $10.00780
- 1000+： $9.44132
Итого $11.91945
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
