(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGT50DDA60T3G
-
Microchip Technology
-
Транзисторы - Модули IGBT
- SP3-32
- IGBT Modules DOR CC3175View in Development Tools Selector
Date Sheet
Lagernummer 36
- 1+： $56.85192
- 10+： $53.63388
- 100+： $50.59800
- 500+： $47.73396
- 1000+： $45.03204
Zwischensummenbetrag $56.85192
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：Production (Last Updated: 2 months ago)
- Корпус / Кейс：SP3-32
- Вид крепления：Chassis Mount
- Монтаж：Chassis Mount, Screw
- Количество контактов：32
- Поставщик упаковки устройства：SP3
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：600 V
- Распад мощности：176 W
- Минимальная температура работы：- 40 C
- Максимальная рабочая температура：+ 100 C
- Максимальное напряжение эмиттера транзистора gates：20 V
- Монтажные варианты：Chassis Mount
- Пакетная партия производителя：1
- Пакет：Bulk
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：80 A
- Основной номер продукта：APTGT50
- Mfr：Microchip Technology
- Состояние продукта：Active
- Диэлектрический пробой напряжение：600 V
- Пакетирование：Tube
- Рабочая температура：-40°C ~ 175°C (TJ)
- Серия：-
- Максимальная рабочая температура：175 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Максимальная потеря мощности：176 W
- Конфигурация：Dual
- Конфигурация элемента：Dual
- Мощность - Макс：176 W
- Ввод：Standard
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：600 V
- Максимальный ток сбора：80 A
- Ток - отсечка коллектора (макс)：250 µA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：600 V
- Входной ёмкости：3.15 nF
- Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic：1.9V @ 15V, 50A
- Прямоходящий ток коллектора：80
- Тип ИGBT：Trench Field Stop
- Термистор с изменяемым сопротивлением：Yes
- Входная ёмкость (Cies) @ Vce：3.15 nF @ 25 V
- Продукт：IGBT Silicon Modules
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 36
- 1+： $56.85192
- 10+： $53.63388
- 100+： $50.59800
- 500+： $47.73396
- 1000+： $45.03204
Итого $56.85192
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
