(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1112MFV(TL3,T)
Изображение служит лишь для справки
RN1112MFV(TL3,T)
-
Toshiba
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- -
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor NPN 100mA 50V 22kohm
Date Sheet
Lagernummer 5
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Количество контактов：3
- РХОС：Details
- Пакетная партия производителя：8000
- Серия：RN1112MFV
- Пакетирование：Cut Tape
- Максимальная рабочая температура：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Конфигурация элемента：Single
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50 V
- Корпусировка на излучение：No
Со склада 5
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
