(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1119MFV,L37F
Изображение служит лишь для справки
RN1119MFV,L37F
-
Toshiba
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723-3
- Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in Transistor
Date Sheet
Lagernummer 49
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-723-3
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：NPN
- Типовой входной резистор：1 kOhms
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：120
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Распад мощности：150 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Пакетная партия производителя：8000
- Серия：RN1119MFV
- Пакетирование：MouseReel
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
Со склада 49
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
