(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PBRP113ET-QR
Изображение служит лишь для справки
PBRP113ET-QR
-
Nexperia
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-23-3
- Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRP113ET-Q/SOT23/TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 14
- 1+： $0.08860
- 10+： $0.08359
- 100+： $0.07886
- 500+： $0.07439
- 1000+： $0.07018
Zwischensummenbetrag $0.08860
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：TO-236AB
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：PNP
- Типовой входной резистор：1 kOhms
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：40
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Распад мощности：370 mW
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：10 V
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- Квалификация：AEC-Q101
- Пакетная партия производителя：3000
- Партийные обозначения：934662855215
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600 mA
- Основной номер продукта：PBRP113
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：MouseReel
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Распад мощности：250
- Мощность - Макс：250 mW
- Тип транзистора：PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：140 @ 600mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：750mV @ 6mA, 600mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
- База (R1)：1 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：600
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：1 kOhms
Со склада 14
- 1+： $0.08860
- 10+： $0.08359
- 100+： $0.07886
- 500+： $0.07439
- 1000+： $0.07018
Итого $0.08860
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
