Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PDTC143EU-QX
Изображение служит лишь для справки






PDTC143EU-QX
-
Nexperia
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-323-3
- Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTC143EU-Q/SOT323/SC-70
Date Sheet
Lagernummer 2641
- 1+: $0.02629
- 10+: $0.02480
- 100+: $0.02340
- 500+: $0.02207
- 1000+: $0.02082
Zwischensummenbetrag $0.02629
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс:SOT-323-3
- Вид крепления:Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства:SOT-323
- РХОС:Details
- Полярность транзистора:NPN
- Типовой входной резистор:4.7 kOhms
- Характеристика Коэффициент резистора:1
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:30 at 10 mA, 5 V
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO:50 V
- Распад мощности:200 mW
- Минимальная температура работы:- 65 C
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО:10 V
- Пакетная партия производителя:3000
- Партийные обозначения:934664513115
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
- Основной номер продукта:PDTC143
- Mfr:Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта:Active
- Квалификация:-
- Пакетирование:MouseReel
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:200mW
- Мощность - Макс:200 mW
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 10mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):1µA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:150mV @ 500µA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:230 MHz
- База (R1):4.7 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора:100 mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):4.7 kOhms
Со склада 2641
- 1+: $0.02629
- 10+: $0.02480
- 100+: $0.02340
- 500+: $0.02207
- 1000+: $0.02082
Итого $0.02629