(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные PBRN123ET-QR
Изображение служит лишь для справки
PBRN123ET-QR
-
Nexperia
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-23-3
- Bipolar Transistors - Pre-Biased PBRN123ET-Q/SOT23/TO-236AB
Date Sheet
Lagernummer 26
- 1+： $0.08910
- 10+： $0.08406
- 100+： $0.07930
- 500+： $0.07481
- 1000+： $0.07058
Zwischensummenbetrag $0.08910
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Корпус / Кейс：SOT-23-3
- Вид крепления：Surface Mount
- Поставщик упаковки устройства：TO-236AB
- РХОС：Details
- Полярность транзистора：NPN
- Типовой входной резистор：2.2 kOhms
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：70
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：40 V
- Распад мощности：370 mW
- Минимальная температура работы：- 65 C
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：10 V
- Максимальный постоянный ток сбора：600 mA
- Квалификация：AEC-Q101
- Пакетная партия производителя：3000
- Партийные обозначения：934662854215
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：600 mA
- Основной номер продукта：PBRN123
- Mfr：Nexperia USA Inc.
- Состояние продукта：Active
- Пакетирование：MouseReel
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：250
- Мощность - Макс：250 mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：350 @ 600mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：1.15V @ 8mA, 800mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：40 V
- База (R1)：2.2 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：600
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2 kOhms
Со склада 26
- 1+： $0.08910
- 10+： $0.08406
- 100+： $0.07930
- 500+： $0.07481
- 1000+： $0.07058
Итого $0.08910
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
