(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные TDTC114Y,LM
Изображение служит лишь для справки
TDTC114Y,LM
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN
Date Sheet
Lagernummer 2872
- 1+： $0.13060
- 10+： $0.12321
- 100+： $0.11623
- 500+： $0.10965
- 1000+： $0.10345
Zwischensummenbetrag $0.13060
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Поставщик упаковки устройства：SOT-23-3
- Mfr：Toshiba Semiconductor and Storage
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Распад мощности：320 mW
- Полярность транзистора：NPN
- Типовой входной резистор：10 kOhms
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Максимальный постоянный ток сбора коллектора：100 mA
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：Toshiba
- Бренд：Toshiba
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Серия：-
- Пакетирование：Cut Tape
- Подкатегория：Transistors
- Конфигурация：Single
- Мощность - Макс：320 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：79 @ 5mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- База (R1)：10 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100 mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 2872
- 1+： $0.13060
- 10+： $0.12321
- 100+： $0.11623
- 500+： $0.10965
- 1000+： $0.10345
Итого $0.13060
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
