ISC011N06LM5ATMA1

Name: Infineon Technologies ISC011N06LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (6 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
8-PowerTDFN
TRENCH 40<-<100V PG-TDSON-8
Date Sheet

Lagernummer 2141

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
Поставщик упаковки устройства：PG-TDSON-8-17
Mfr：Infineon Technologies
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：37A (Ta), 288A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：3W (Ta), 188W (Tc)
Основной номер продукта：ISC011N
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：288A
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：SuperSO8 5 x 6
Режим канала：Enhancement
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：60 V
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.3 V
Распад мощности：188 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：5000
Монтажные варианты：SMD/SMT
Партийные обозначения：ISC011N06LM5 SP005400954
Производитель：Infineon
Бренд：Infineon Technologies
Зарядная характеристика ворот：63 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.15 mOhms
Id - Непрерывный ток разряда：288 A
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：8
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：188W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.15mOhm @ 50A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.3V @ 116μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11000 pF @ 30 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：170 nC @ 10 V
Напряжение стока-исток (Vdss)：60 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Канальный тип：N Channel
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 2141

Итого $0.00000