PSMN1R5-50YLHX

Name: Nexperia USA Inc. PSMN1R5-50YLHX
Brand: Nexperia USA Inc.
Rating: 4.6 (9 reviews)

Nexperia USA Inc.
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
SOT-1023, 4-LFPAK
PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Date Sheet

Lagernummer 7298

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-1023, 4-LFPAK
Поставщик упаковки устройства：LFPAK56, Power-SO8
Mfr：Nexperia USA Inc.
Состояние продукта：Active
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：200A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：4.5V, 10V
Максимальная мощность рассеяния：333W (Ta)
Число элементов на чипе：1
Формат упаковки：LFPAK56E
MSL：MSL 1 - Unlimited
Квалификация：-
Прямоходящий ток вывода Id：200A
Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：50 V
Время типичного задержки включения：39 ns
Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：2.2 V
Распад мощности：333 W
Полярность транзистора：N-Channel
Максимальная рабочая температура：+ 175 C
Усв：- 20 V, + 20 V
Минимальная температура работы：- 55 C
Пакетная партия производителя：1500
Монтажные варианты：SMD/SMT
Режим канала：Enhancement
Партийные обозначения：934661303115
Производитель：Nexperia
Бренд：Nexperia
Зарядная характеристика ворот：117 nC
Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：1.75 mOhms
РХОС：Details
Время задержки отключения типичного：68 ns
Id - Непрерывный ток разряда：200 A
Серия：-
Рабочая температура：-55°C ~ 175°C (TJ)
Пакетирование：MouseReel
Подкатегория：MOSFETs
Число контактов：4
Каналов количество：1 Channel
Распад мощности：333W
Тип ТРВ：N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.75mOhm @ 25A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.2V @ 1mA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：11143 pF @ 25 V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：181 nC @ 10 V
Время подъема：40 ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：50 V
Угол настройки (макс.)：±20V
Тип продукта：MOSFET
Тип транзистора：1 N-Channel
Канальный тип：N
Характеристика ТРП：-
Категория продукта：MOSFET

Со склада 7298

Итого $0.00000