Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6030KNXC7G
Изображение служит лишь для справки






R6030KNXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 600V 30A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Date Sheet
Lagernummer 931
- 1+: $2.76669
- 10+: $2.61009
- 100+: $2.46235
- 500+: $2.32297
- 1000+: $2.19148
Zwischensummenbetrag $2.76669
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Through Hole
- Корпус / Кейс:TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства:TO-220FM
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Пакет:Tube
- Состояние продукта:Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:30A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):10V
- Максимальная мощность рассеяния:86W (Tc)
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Квалификация:-
- Прямоходящий ток вывода Id:30A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source:600 V
- Время типичного задержки включения:35 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока:5 V
- Распад мощности:86 W
- Полярность транзистора:N-Channel
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Усв:- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы:- 55 C
- Пакетная партия производителя:1000
- Монтажные варианты:Through Hole
- Режим канала:Enhancement
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Бренд:ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот:56 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток:130 mOhms
- РХОС:Details
- Время задержки отключения типичного:100 ns
- Id - Непрерывный ток разряда:30 A
- Серия:-
- Рабочая температура:150°C (TJ)
- Пакетирование:Tube
- Подкатегория:MOSFETs
- Конфигурация:Single
- Каналов количество:1 Channel
- Распад мощности:86W
- Тип ТРВ:N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:130mOhm @ 14.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:2350 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:56 nC @ 10 V
- Время подъема:65 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss):600 V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Тип продукта:MOSFET
- Тип транзистора:Power MOSFET
- Канальный тип:N Channel
- Характеристика ТРП:-
- Категория продукта:MOSFET
Со склада 931
- 1+: $2.76669
- 10+: $2.61009
- 100+: $2.46235
- 500+: $2.32297
- 1000+: $2.19148
Итого $2.76669