(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные R6011KNXC7G
Изображение служит лишь для справки
R6011KNXC7G
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Date Sheet
Lagernummer 637
- 1+： $2.60607
- 10+： $2.45856
- 100+： $2.31940
- 500+： $2.18811
- 1000+： $2.06425
Zwischensummenbetrag $2.60607
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Поставщик упаковки устройства：TO-220FM
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Пакет：Tube
- Состояние продукта：Active
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：11A (Ta)
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：53W (Tc)
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：-
- Прямоходящий ток вывода Id：11A
- Усилительный напряжение разрыва Drain-Source：600 V
- Время типичного задержки включения：20 ns
- Втс - Пороговая напряжённость канала-истока：5 V
- Распад мощности：53 W
- Полярность транзистора：N-Channel
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Усв：- 20 V, + 20 V, - 30 V, + 30 V
- Минимальная температура работы：- 55 C
- Пакетная партия производителя：1000
- Монтажные варианты：Through Hole
- Режим канала：Enhancement
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Зарядная характеристика ворот：22 nC
- Допустимый коэффициент сопротивления на дрен-исток：390 mOhms
- РХОС：Details
- Время задержки отключения типичного：40 ns
- Id - Непрерывный ток разряда：11 A
- Серия：-
- Рабочая температура：150°C (TJ)
- Пакетирование：Tube
- Подкатегория：MOSFETs
- Конфигурация：Single
- Каналов количество：1 Channel
- Распад мощности：53W
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：390mOhm @ 3.8A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：740 pF @ 25 V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：22 nC @ 10 V
- Время подъема：25 ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：600 V
- Угол настройки (макс.)：±20V
- Тип продукта：MOSFET
- Тип транзистора：Power MOSFET
- Канальный тип：N Channel
- Характеристика ТРП：-
- Категория продукта：MOSFET
Со склада 637
- 1+： $2.60607
- 10+： $2.45856
- 100+： $2.31940
- 500+： $2.18811
- 1000+： $2.06425
Итого $2.60607
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
