NTE2416

Name: NTE Electronics, Inc NTE2416
Brand: NTE Electronics, Inc
Rating: 4.5 (14 reviews)

NTE Electronics, Inc
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T-NPN SI WITH 22K RES
Date Sheet

Lagernummer 665

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Поверхностный монтаж：YES
Поставщик упаковки устройства：SOT-23
Количество терминалов：3
Материал элемента транзистора：SILICON
Mfr：NTE Electronics, Inc
Пакет：Bag
Состояние продукта：Active
Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
Артикул Производителя：NTE2416
Производитель：NTE Electronics
Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Форма упаковки：SMALL OUTLINE
Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
Форма упаковки：RECTANGULAR
Количество элементов：1
Код цикла жизни компонента：Active
Производитель IHS：NTE ELECTRONICS INC
Ранг риска：2.17
Серия：-
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Код ТН ВЭД：8541.21.00.75
Подкатегория：BIP General Purpose Small Signal
Положение терминала：DUAL
Форма вывода：GULL WING
Код соответствия REACH：unknown
Код JESD-30：R-PDSO-G3
Квалификационный Статус：Not Qualified
Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
Мощность - Макс：200 mW
Применение транзистора：SWITCHING
Полярность/Тип канала：NPN
Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：50 @ 10mA, 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
Частота - Переход：250 MHz
Максимальная потеря мощности (абс.)：0.2 W
Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：50
База (R1)：22 kOhms
Резистор - Эмиттер-База (R2)：22 kOhms
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V

Со склада 665

Итого $0.00000