(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC144TMFHAT2L
Изображение служит лишь для справки
DTC144TMFHAT2L
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO
Date Sheet
Lagernummer 45
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-723
- Поставщик упаковки устройства：VMT3
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Not For New Designs
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Основной номер продукта：DTC144
- Формат упаковки：VMT
- Типовой входной резистор：47
- Коллекторный ток (постоянный)：0.1(A)
- Максимальное напряжение эмиттора-коллектора：50(V)
- Уголок постоянного тока：100
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：Single NPN
- Эмиттер-основное напряжение ВЭБО：5 V
- Распад мощности：150 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：100
- Пакетная партия производителя：8000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：DTC144TMFHA
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- РХОС：Details
- Максимальное напряжение коллектора-эммиттера VCEO：50 V
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Артикул Производителя：DTC144TMFHAT2L
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Ранг риска：1.54
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Tape and Reel
- Код ECCN：EAR99
- Тип：NPN
- Подкатегория：Transistors
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：0.15(W)
- Мощность - Макс：150 mW
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA (ICBO)
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 5mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- База (R1)：47 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 45
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
