Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC114EMFHAT2L
Изображение служит лишь для справки






DTC114EMFHAT2L
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-723
- NPN DIGITAL TRANSISTOR (100MA/50
Date Sheet
Lagernummer 41
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-723
- Поверхностный монтаж:YES
- Поставщик упаковки устройства:VMT3
- Количество терминалов:3
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Mfr:Rohm Semiconductor
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100 mA
- Основной номер продукта:DTC114
- Формат упаковки:VMT
- Коллекторный ток (постоянный):0.1(A)
- Максимальное напряжение эмиттора-коллектора:50(V)
- Уголок постоянного тока:30
- MSL:MSL 1 - Unlimited
- Максимальная рабочая температура:+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.:30
- Пакетная партия производителя:8000
- Монтажные варианты:SMD/SMT
- Производитель:ROHM Semiconductor
- Бренд:ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора:100 mA
- Описание пакета:SC-105AA, 3 PIN
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности:1
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Артикул Производителя:DTC114EMFHAT2L
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Количество элементов:1
- Производитель IHS:ROHM CO LTD
- Состояние продукта:Not For New Designs
- Характеристика Коэффициент резистора:1
- Типовой входной резистор:10
- Квалификация:AEC-Q101
- Полярность транзистора:Single NPN
- Распад мощности:150 mW
- Партийные обозначения:DTC114EMFHA
- РХОС:Details
- Максимальная температура рефлоу:NOT SPECIFIED
- Рохс Код:Yes
- Траниционный частотный предел (fT):250 MHz
- Код цикла жизни компонента:Active
- Ранг риска:1.76
- Пакетирование:Tape and Reel
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Код ECCN:EAR99
- Тип:NPN
- Дополнительная Характеристика:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Подкатегория:Transistors
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Нормативная Марка:AEC-Q101
- Код JESD-30:R-PDSO-F3
- Выводной напряжение:100 mV
- Конфигурация:Single
- Распад мощности:0.15(W)
- Мощность - Макс:150 mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:NPN
- Тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора:NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:30 @ 5mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50 V
- Частота - Переход:250 MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.15 W
- Максимальный ток коллектора (IC):0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE):30
- База (R1):10 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора:100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2):10 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:50 V
- Категория продукта:Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 41
Итого $0.00000