(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC144EEFRATL
Изображение служит лишь для справки
DTC144EEFRATL
-
Rohm Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-75, SOT-416
- NPN DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101
Date Sheet
Lagernummer 129
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-75, SOT-416
- Поверхностный монтаж：YES
- Поставщик упаковки устройства：EMT3
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Mfr：Rohm Semiconductor
- Состояние продукта：Active
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100 mA
- Основной номер продукта：DTC144
- MSL：MSL 1 - Unlimited
- Квалификация：AEC-Q101
- Полярность транзистора：Single NPN
- Характеристика Коэффициент резистора：1
- Распад мощности：150 mW
- Максимальная рабочая температура：+ 150 C
- Коэффициент усиления коллектора/базы постоянного тока hfe мин.：68
- Типовой входной резистор：47 kOhms
- Пакетная партия производителя：3000
- Монтажные варианты：SMD/SMT
- Партийные обозначения：DTC144EEFRA
- Производитель：ROHM Semiconductor
- Бренд：ROHM Semiconductor
- Максимальный постоянный ток сбора：100 mA
- РХОС：Details
- Описание пакета：SC-75A, 3 PIN
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Максимальная температура рефлоу：NOT SPECIFIED
- Рохс Код：Yes
- Траниционный частотный предел (fT)：250 MHz
- Артикул Производителя：DTC144EEFRATL
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Количество элементов：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：ROHM CO LTD
- Ранг риска：1.05
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Пакетирование：Cut Tape
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Подкатегория：Transistors
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：AEC-Q101
- Код JESD-30：R-PDSO-G3
- Выводной напряжение：100 mV
- Конфигурация：Single
- Распад мощности：150mW
- Мощность - Макс：150 mW
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：NPN
- Тип продукта：BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：68 @ 5mA, 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50 V
- Частота - Переход：250 MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：0.1 A
- Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)：68
- База (R1)：47 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：47 kOhms
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：50 V
- Категория продукта：Bipolar Transistors - Pre-Biased
Со склада 129
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
