(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные UMA6NTR
Изображение служит лишь для справки
UMA6NTR
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Date Sheet
Lagernummer 6000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Количество контактов：5
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：2
- Минимальная частота работы в герцах：100
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2004
- Код JESD-609：e2
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：5
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Copper (Sn/Cu)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：DIGITAL
- Максимальная потеря мощности：150mW
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Число контактов：5
- Направленность：PNP
- Конфигурация：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：50V
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：100 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 5mA
- Частота перехода：250MHz
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：47k Ω
- Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Со склада 6000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
