(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные NSBC115EPDXV6T1G
Изображение служит лишь для справки
NSBC115EPDXV6T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- SS SOT563 RSTR XSTR TR
Date Sheet
Lagernummer 444
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：17 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Мощность - Макс：357mW
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- База (R1)：100k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：100k Ω
Со склада 444
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
