UMA7NTR

Name: ROHM Semiconductor UMA7NTR
Brand: ROHM Semiconductor
Rating: 4.8 (8 reviews)

ROHM Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT5
Date Sheet

Lagernummer 1845

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：7 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Количество контактов：5
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：30
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2001
Код JESD-609：e2
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：5
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：TIN COPPER
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
Ток постоянного напряжения - номинальный：-50V
Максимальная потеря мощности：150mW
Форма вывода：GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
Основной номер части：MA7
Число контактов：5
Направленность：PNP
Конфигурация：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Распад мощности：150mW
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：30 @ 10mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода：250MHz
Частота - Переход：250MHz
База (R1)：4.7k Ω
Прямоходящий ток коллектора：-100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω
Максимальное напряжение на выходе：0.3 V
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 1845

Итого $0.00000