(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные EMD5DXV6T1G
Изображение служит лишь для справки
EMD5DXV6T1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
- SOT-563, SOT-666
- TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Date Sheet
Lagernummer 610
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：100mA
- Количество элементов：2
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Код соответствия REACH：compliant
- Мощность - Макс：500mW
- Полярность/Тип канала：NPN/PNP
- Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：80 @ 5mA 10V / 20 @ 5mA 10V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 300μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：50V
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.5W
- База (R1)：4.7k Ω, 47k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10k Ω, 47k Ω
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 610
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
