NSBC123EPDXV6T1G

Name: ON Semiconductor NSBC123EPDXV6T1G
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.5 (13 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Массивы, предварительно смещенные
SOT-563, SOT-666
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
Date Sheet

Lagernummer 4038

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：SOT-563, SOT-666
Поверхностный монтаж：YES
Количество контактов：6
Вес：8.193012mg
Диэлектрический пробой напряжение：50V
Количество элементов：2
Минимальная частота работы в герцах：8
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Опубликовано：2012
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура：150°C
Минимальная температура работы：-55°C
Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Ток постоянного напряжения - номинальный：50V
Максимальная потеря мощности：500mW
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Моментальный ток：100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：NSBC1*
Число контактов：6
Квалификационный Статус：Not Qualified
Направленность：NPN, PNP
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Применение транзистора：SWITCHING
Тип транзистора：1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：250mV
Максимальный ток сбора：100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：8 @ 5mA 10V
Ток - отсечка коллектора (макс)：500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：250mV @ 5mA, 10mA
База (R1)：2.2k Ω
Прямоходящий ток коллектора：100mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)：2.2k Ω
Высота：550μm
Длина：1.6mm
Ширина：1.2mm
Состояние RoHS：RoHS Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 4038

Итого $0.00000